В мире микросхем случается так: чем больше слоёв, тем меньше печали — и в этот раз печалиться не о чем. Улыбка в первом абзаце — потому что учёные из UCSD буквально сложили память в высоту, и теперь «стена памяти» выглядит скорее как аккуратно выстроенный многослойный торт, чем непреодолимая преграда.

Речь о 3D‑стеке bulk RRAM: восемь физических слоёв, где каждая ячейка способна хранить 6‑битное значение. Это не просто ещё одна эксперимента­льная игрушка — такие структуры обещают перенести вычисления ближе к данным, уменьшив энергию и задержки, которые сейчас съедают производительность при работе с большими нейросетями. Представьте, что веса сети живут в тех же местах, где и вычисления — обучение может происходить локально и постоянно, без постоянных поездок туда‑сюда между памятью и процессором.

Технология bulk RRAM интересна ещё и тем, что работает с количеством состояний больше, чем бинарная флеш-память, даёт плотность и потенциал вертикального масштабирования. 3D‑укладка — путь к увеличению ёмкости без взрыва площади кристалла, а значит это экономично и эффективно для дата‑центров и встроенных систем, где важна энергия и скорость.

Конечно, перед массовым внедрением — свои инженерные холмы: надёжность многослойных соединений, управление теплом, интеграция с CMOS. Но уже сейчас эксперимент UCSD — явный знак: ещё один аспект «стены памяти» может быть сдвинут в пользу обработчиков ИИ. А если вспомнить славные традиции полупроводниковой инженерии, то впереди нас ждут интересные архитектуры и оптимизации, которые сделают вычисления умнее, быстрее и ближе к источнику данных.

Оригинал исследования и публикация — в IEEE Spectrum: https://spectrum.ieee.org/ai-and-memory-wall.